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精準(zhǔn)控制蝕刻工藝，INFICON殘余氣體分析儀助力半導(dǎo)體制造精準(zhǔn)又高效

　　半導(dǎo)體制造是技術(shù)創(chuàng)新的核心，推動(dòng)著電子、計(jì)算與通信領(lǐng)域的飛速發(fā)展。隨著設(shè)備功能越來越強(qiáng)、體積越來越小，行業(yè)不斷挑戰(zhàn)著微型化的極限，尤其是在納米級(jí)高密度芯片的制造中，蝕刻工藝的精度與控制變得尤為關(guān)鍵。　　INFICON憑借在先進(jìn)儀器與傳感器技術(shù)方面的專業(yè)積累，始終走在應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的前沿。我們提供新…
如何實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體工藝中的安瓿是否耗盡與泄漏？

　　在半導(dǎo)體制造中，工藝的精確性與一致性至關(guān)重要。化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）等先進(jìn)的沉積技術(shù)依賴安瓿來儲(chǔ)存和輸送前驅(qū)體，以形成厚度精確、性能一致的薄膜。若安瓿在工藝過程中耗盡而未及時(shí)被發(fā)現(xiàn)，將導(dǎo)致薄膜不均勻、缺陷增多甚至器件失效，嚴(yán)重影響整批晶圓的質(zhì)量。此類故障不僅會(huì)降低良率，還會(huì)…
選對(duì)晶體，事半功倍！下載INFICON指南，掌握石英監(jiān)測(cè)晶體的選型秘訣

　　在基于石英晶體的測(cè)量系統(tǒng)中，監(jiān)測(cè)晶體的選擇直接決定了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。尤其在嚴(yán)苛的工藝環(huán)境下，為您的應(yīng)用選擇適合的 INFICON 晶體至關(guān)重要。　　以太陽(yáng)能電池制造為例，大面積鍍膜常采用濺射工藝，并通過 QCM （石英晶體微量天平）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜厚以確保均勻性。但挑戰(zhàn)在于：濺射過程產(chǎn)生的大…